| 9:15-10:15 | 「チュートリアル」 古田先生（60分） |
清和館 3F会議室 |
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| 10:15-10:30 | 休憩 | ||
| 10:30-11:30 | 「チュートリアル」 内藤先生（60分） |
3F会議室 | |
| 11:30-12:30 | 昼食 | ||
| 12:30-12:40 | 開会式 | 3F会議室 | |
| 12:40-14:00 | オーラルセッション Ⅰa 有機材料・デバイス 安達先生（40分） 一般（20分×2） |
3F会議室 | |
| 14:00-14:20 | 休憩(展示コマーシャル1) | ||
| 14:20-15:40 | オーラルセッション Ⅰb 酸化物材料・デバイス 一般（20分×2） 川崎先生（40分） |
3F会議室 | |
| 15:40-16:00 | 休憩(展示コマーシャル2) | ||
| 16:00-18:00 | ショートプレゼン P(1)(1.5分×19) ポスターセッション P(1) (奇数番号) |
3F会議室 2F(オーラル枠) 1F(ポスター枠) |
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| 18:00-18:30 | (会場移動) | ||
| 18:30-21:00 | ランプセッション Ｌ 19:00-19:50 廣瀬先生（50分） 20:00-21:00 一般（20分×3） |
京都東急ホテル |
| 9:00-10:20 | オーラルセッション Ⅱa Ⅳ族系プロセス 一般（20分×4）） |
3F会議室 | |
| 10:20-10:40 | 休憩(展示コマーシャル3) | ||
| 10:40-12:20 | オーラルセッション Ⅱb Ⅳ族系プロセス 宮尾先生(40分) 一般（20分×3）） |
3F会議室 | |
| 12:20-13:20 | 昼食 | ||
| 13:20-15:20 | ショートプレゼン P(2)(1.5分×20) ポスターセッション P(2) (偶数番号) |
3F会議室 2F(オーラル枠) 1F(ポスター枠) |
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| 15:20-15:30 | (フロア移動) | ||
| 15:30-16:30 | オーラルセッション Ⅱc 絶縁膜、回路 一般（20分×3）） |
3F会議室 | |
| 16:30-16:40 | 閉会式 | 3F会議室 |
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915-1015 1 |
酸化物半導体の薄膜トランジスタ(TFT)応用 古田 守 (高知工科大学 総合研究所) |
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1030-1130 2 |
有機半導体の光・電子物性 内藤 裕義 (大阪府立大学大学院 工学研究科) |
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1240-1320 Ⅰa-1（招） |
有機発光性薄膜デバイスの新展開 安達千波矢 (九州大学未来化学創造センター) |
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1320-1340 Ⅰa-2 |
有機トランジスタの半導体膜厚依存性の実測結果のデバイスシミュレーションによる解析 青木敬1、守谷壮一1、宮本勉1、川居秀幸1、奥村友也2、上田勇気2、木村睦2 (1 セイコーエプソン株式会社, 2 龍谷大学) |
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1340-1400 Ⅰa-3 |
ペンタセン多結晶膜における横方向キャリア伝導 ―ホール輸送障壁と結晶内有効質量― 松原亮介、大橋昇、酒井正俊、工藤一浩、中村雅一 (千葉大学 大学院工学研究科) |
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1420-1440 Ⅰb-1 |
中間電極を用いたFET型強誘電体メモリの特性向上 堀田將、Bui Nguyen Quoc Trinh、西岡賢祐 (北陸先端科学技術大学院大学 マテリアルサイエンス研究科) |
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1440-1500 Ⅰb-2 |
ワイドギャップp 型半導体LaCuOSe への高濃度正孔ドーピングと有機LED 正孔注入層への応用 平松 秀典1, 柳 博2, 菊池 麻依子2， 金 起範2，植田 和茂3, 神谷 利夫1,2, 太田 裕道4, 平野 正浩1,5, 細野 秀雄1,2,5 (1 科学技術振興機構ERATO-SORST, 2 東京工業大学 応用セラミックス研究所, 3 九州工業大学 工学部 物質工学科, 4 名古屋大学大学院 工学研究科, 5 東京工業大学 フロンティア創造共同研究センター) |
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1500-1540 Ⅰb-3（招） |
酸化物エレクトロニクス 川崎雅司 (東北大学 原子分子材料科学高等研究機構) |
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1900-1950 Ｌ-1（招） |
薄膜新材料とデバイス物理が切り拓くサイエンス・イノベーション 廣瀬全孝 (産業技術総合研究所 次世代半導体研究センター) |
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2000-2020 Ｌ-2 |
Poly-Si TFT によるデバイスレベルのニューラルネットワーク 笠川知洋１、小野寺亮１、小嶋明樹１、木村睦１、原弘幸２、井上聡２ (１龍谷大学 電子情報学科, ２セイコーエプソン株式会社 フロンティアデバイス研究所) |
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2020-2040 Ｌ-3 |
アモルファス酸化物半導体：In-Ga-Zn-O TFTとその回路 雲見 日出也1、野村 研二2、神谷 利夫3、平野正浩4、細野 秀雄2,3,4 (1キヤノン（株）先端融合研究所, 2ERATO-SORST, 3東京工業大学 応用セラミックス研究所, 4東京工業大学 フロンティア創造共同研究センター) |
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2040-2100 Ｌ-4 |
フレキシブルデバイスに向けた縦型有機トランジスタ 渡邊康之1、家地洋之2,3、工藤一浩3 (1 千葉大学先進科学研究教育センター, 2 (株)リコー 先端技術研究所, 3 千葉大学大学院工学研究科) |
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900-920 Ⅱa-1 |
連続波赤外半導体レーザによるイオン注入不純物活性化アニール 佐野直樹1、鮫島俊之2、松田恭博3、安東靖典3、内藤勝男3 (1株式会社ハイテック・システムズ, 2東京農工大学, 3日新イオン機器株式会社) |
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920-940 Ⅱa-2 |
Al誘起層交換成長法による多結晶SiGe薄膜の低温形成 津村宜孝、権丈淳、佐道泰造、宮尾正信 (九州大学大学院システム情報科学) |
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940-1000 Ⅱa-3 |
Si 膜エキシマレーザ誘起横方向成長過程の実時間観測 葉文昌、荘淳鈞、柯敦元 (国立台湾科技大学 電子工程系) |
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1000-1020 Ⅱa-4 |
顕微ラマン分光による低温横方向結晶化poly-Si 薄膜の評価 神原潤二，小羽田光則，小笠原皓哉，大橋康孝，北原邦紀 (島根大学総合理工学研究科) |
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1040-1120 Ⅱb-1（招） |
シリコン系ヘテロ超構造技術の創出と未来型デバイスの夢―九大/半導体ﾅﾉﾃｸﾉﾛｼﾞｰﾘｻｰﾁｺｱの活動を中心として― 宮尾正信 (九州大学大学院システム情報科学研究院) |
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1120-1140 Ⅱb-2 |
IR-RAS を用いたa-SiC:H 積層膜の評価 鈴木俊介，本橋光也，本間和明 (東京電機大学 工学部) |
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1140-1200 Ⅱb-3 |
プラズマダメージによるMOSFETの接合特性劣化メカニズム 亀井 政幸1、江利口 浩二1、岡田 健治２、斧 高一1 (1京都大学 大学院 工学研究科, 2MIARAI-ASET) |
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1200-1220 Ⅱb-4 |
スパッタ法によるTiNゲートを有するMOSFETの電気特性に関する研究 林田哲郎1、柳永勛2、松川貴2、遠藤和彦2、大内真一2、坂本邦博2、昌原明植2、石井賢一2、 塚田順一2、石川由紀2、山内洋美2、小椋厚志1 、鈴木英一2 (1明治大学, 2産業技術総合研究所) |
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1530-1550 Ⅱc-1 |
液体Si 材料（水素化ポリシラン）から形成したSiO2 膜 田中英樹，古沢昌宏 (セイコーエプソン（株）フロンティアデバイス研究所) |
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1550-1610 Ⅱc-2 |
Improvement of crystalline quality of poly-(111)YSZ thin film deposited by magnetron
reactive sputtering with new process of target oxidation Sukreen HANA, Kensuke NISHIOKA and Susumu HORITA (School of Materials Science, Japan Advanced Institute of Science and Technology) |
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1610-1630 Ⅱc-3 |
Poly-Si LDD TFTのチャネル内電位、電界の n-領域不純物濃度依存性 山形昌広、佐藤利文、丹呉浩侑 (東京工芸大学) |
| Ｐ-1 |
ドープｐoly-Si 薄膜の結晶粒界に平行・傾斜・垂直なキャリア輸送のデバイスシミュレーション 木村 睦 (龍谷大学 電子情報学科) |
| Ｐ-2 |
Poly-Si TFT によるオペアンプ回路の動作評価 瀬津 光司、木村 睦 (龍谷大学 電子情報学科) |
| Ｐ-3 |
n-チャネル低温poly-Si LDD TFTのホットキャリヤ劣化の解析 平田 星史郎、佐藤 利文、丹呉 浩侑 (東京工芸大学) |
| Ｐ-4 |
Poly-Si TFTにおけるしきい値電圧のドレイン電圧依存性の解析 辻博史、葛岡毅、日昔崇、鎌倉良成、森藤正人、谷口研二 (大阪大学大学院工学研究科) |
| Ｐ-5 |
デバイスのしきい値ばらつきに依らない差動増幅器 桐原正治、池田智、鎌倉良成、谷口研二 (大阪大学大学院工学研究科) |
| Ｐ-6 |
化学エッチング表面の形状観察によるpoly-Si 薄膜中の欠陥評価 小笠原皓哉、大橋康孝、小羽田光則、神原潤二、北原邦紀 (島根大学総合理工学研究科) |
| Ｐ-7 |
リンをイオン注入したシリコンの低温活性化 鮫島俊之1、滝内芽1、下川光次郎1、佐野直樹2、松田恭博3、安東靖典3、内藤勝男3 (1 東京農工大工, 2 ハイテックシステムズ, 3 日新イオン機器) |
| Ｐ-8 |
赤外半導体レーザを用いたシリコン薄膜の結晶化 宇河 康1、下川光次郎1、鮫島俊之1、佐野直樹２ (1 東京農工大工, 2（株）ハイテックシステムズ) |
| Ｐ-9 |
原子状水素アニールによる無機膜とプラスチック基板との密着性の改善 Masahiko Sato, Akira Heya and Naoto Matsuo (University of Hyogo) |
| Ｐ-10 |
内部アンテナ型ICP-CVD を用いたnc-Si の低温形成 東名敦志、可貴裕和、高橋英治、林司、緒方潔 (日新電機株式会社技術開発研究所プロセス開発センター) |
| Ｐ-11 |
水素変調ドープELA法による高結晶化率poly-Si膜の低温形成 部家彰1, 芹川正2, 河本直哉3, 松尾直人1 (1兵庫県立大学工学研究科, 2大阪大学接合科学研究所, 3山口大学工学部) |
| Ｐ-12 |
プラスチック基板上へのpoly-Si 膜の形成 －N2 加圧雰囲気中でのELA の効果－ 秋津 昇吾1、部家 彰1、迫屋 翔1、河本 直哉3、西崎 昭吾2、大平 圭介2、松村 英樹2、松尾 直人1 (1 兵庫県立大, 2 北陸先端大, 3 山口大) |
| Ｐ-13 |
熱プラズマジェットミリ秒熱処理したSiOx薄膜のフォトルミネッセンス 岡田 竜弥、東 清一郎、加久 博隆、寄本 拓也、村上 秀樹、宮崎 誠一 (広島大学大学院 先端物質科学研究科) |
| Ｐ-14 |
熱プラズマジェットを用いたミリ秒急速熱処理におけるSi ウェハ内温度変化のその場観測 古川 弘和、東 清一郎、岡田 竜弥、加久 博隆、村上 秀樹、宮崎 誠一 (広島大学大学院 先端物質科学研究科) |
| Ｐ-15 |
連続波グリーンレーザ再結晶化Si 薄膜における結晶性と歪み 黒木伸一郎、藤井俊太朗、朱小莉、沼田雅之、小谷光司、伊藤隆司 (東北大学大学院工学研究科) |
| Ｐ-16 |
エキシマレーザ誘起多結晶Si膜上に形成された結晶粒位置制御薄膜トランジスタ特性 葉文昌、牛英傑、戴漢昇 (国立台湾科技大学 電子工程系) |
| Ｐ-17 |
水中レーザーアブレーションにより形成された気泡内Si ナノ粒子の観察 筒井 宣匡，池上 浩 (高知工業高等専門学校 機械・電気工学専攻) |
| Ｐ-18 |
熱プラズマジェット結晶化Poly-Si 膜の欠陥密度評価 寄本拓也、東清一郎、加久博隆、岡田竜弥、村上秀樹、宮崎誠一 (広島大学大学院 先端物質科学研究科) |
| Ｐ-19 |
熱プラズマジェット照射超急速熱処理によるSi 膜中ドーパントの活性化 加久 博隆、東 清一郎、古川 弘和、岡田 竜弥、寄本 拓也、村上 秀樹、宮崎 誠一 (広島大学大学院 先端物質科学研究科) |
| Ｐ-20 |
半導体レーザ光照射ミリ秒急速熱処理によるa-Ge:H膜の相変化過程のその場観測 菅川賢治、東清一郎、加久博隆、岡田竜弥、村上秀樹、宮崎誠一 (広島大学大学院 先端物質科学研究科) |
| Ｐ-21 |
有機液体原料を用いたHWCVD 法によるSiCN 膜の膜質評価 松尾 亘祐、生田 哲大、林 祐史、和泉 亮 (九州工業大学) |
| Ｐ-22 |
スパッタ法で形成したSiO2 膜の構造的電気的特性改質 卜部友二1、鮫島俊之1、甕 克行2、市村 公二2 (1 東京農工大工, 2 大日本印刷株式会社) |
| Ｐ-23 |
大気圧プラズマCVD により高速形成したSiNx 薄膜の構造評価 石本大輔、山口賀人、中村 慶、大参宏昌、垣内弘章、安武 潔 (大阪大学大学院工学研究科) |
| Ｐ-24 |
スピンコートしたジメチルシリコーンオイルと5％オゾンにより
300oCで形成された酸化シリコン薄膜へのArエキシマ光照射効果 西岡 賢祐、堀田 将 (北陸先端科学技術大学院大学) |
| Ｐ-25 |
ポリシラザンを前駆体とした酸化絶縁膜形成 卜部友二、鮫島俊之 (東京農工大工) |
| Ｐ-26 |
化学合成したBi 添加SiO 粒子とその蒸着膜の評価 山本 翔平、野崎 眞次、木村 誠二、内田 和男、小野 洋 (電気通信大学大学院 電子工学専攻) |
| Ｐ-27 |
アクティブ発光素子用透明ZnO トランジスタの作製 白谷 英雄1、山内 博1、飯塚 正明1、酒井 正俊1、中村 雅一1、工藤 一浩1、 柳川 敦志2、卜部 友二2、鮫島 俊之2 (1 千葉大学, 2 東京農工大学) |
| Ｐ-28 |
アモルファス酸化物半導体In-Ga-Zn-O / 金属界面の固有接触抵抗 志村 安広1、野村研二2、柳博3、神谷利夫1,2、平野正浩2、細野秀雄1,2,3 (1 東京工業大学応用セラミックス研究所, 2 科学技術振興機構 ERATO-SORST, 3 東京工業大学フロンティア創造共同研究センター) |
| Ｐ-29 |
透明アモルファス酸化物半導体In-Ga-Zn-Oにおける
裾状態とキャリア輸送特性 野村研二1、神谷利夫1,2、太田裕道1、宇留賀朋哉3、平野正浩１、細野秀雄1,2,4 (1科学技術振興機構ERATO-SORST, 2東京工業大学 応用セラミックス研究所, 3財団法人高輝度光科学研究センター, 4東京工業大学 フロンティア共同研究センター) |
| Ｐ-30 |
アモルファスSn-Ga-Zn-O薄膜トランジスタとそのギャップ内準位に対する熱処理効果 小郷洋一1、野村研二2、柳博1、神谷利夫1,2、平野正浩2、細野秀雄1,2,3 (1東京工業大学 応用セラミックス研究所, 2科学技術振興機構 ERATO-SORST, 3東京工業大学 フロンティア創造共同研究センター) |
| Ｐ-31 |
Postannealing effects on optoelectronic
and chemical properties of Sndoped
In2O3 thin
films deposited on polymer and glass substrates - A comparative study - Natsuki Mori (Department of Electrical and Computer Engineering, Oyama National College of Technology) |
| Ｐ-32 |
ナノポーラス結晶12CaO・7Al2O3 (C12A7)の
30nm 幅高導電性ナノ細線の作製と伝導特性評価 西尾幸真1、宮川仁2、野村研二3、林克郎2、柳博1、神谷利夫1,3、平野正浩3、細野秀雄1,2,3 (1 東京工業大学 応用セラミックス研究所, 2 東京工業大学フロンティア研, 3 科学技術振興機構 ERATO-SORST) |
| Ｐ-33 |
有機薄膜トランジスタのCV 測定による特性解析 奥村友也1、上田勇気1、木村睦1、柄澤潤一2、青木敬2、守谷壮一2 (1 龍谷大学, 2 セイコーエプソン株式会社) |
| Ｐ-34 |
π共役オリゴマーの分子配向制御による有機薄膜トランジスタの高性能化 芦峰智行1、萱嶋弘志1、安田剛1,2、藤田克彦1,2、筒井哲夫1,2 (1九州大学総合理工学府, 2九州大学先導物質化学研究所) |
| Ｐ-35 |
有機半導体薄膜のキャリア密度に及ぼす基板表面化学構造の影響 石倉 健一、酒井 正俊、工藤 一浩、中村 雅一 (千葉大学 大学院工学研究科) |
| Ｐ-36 |
多結晶ペンタセンTFTの結晶ドメイン内に生じる電位揺らぎとその起源 大橋 昇、冨井 弘、松原 亮介、酒井 正俊、工藤 一浩、中村 雅一 (千葉大学 大学院工学研究科) |
| Ｐ-37 |
磁気光学空間光変調器に用いるPZT 上のTFT の作製 鈴木洋一1、石川省吾1、梅澤浩光1、大井秀夫2、木村睦2、内田裕久3、井上光輝3 (1FDK 株式会社 技術開発本部, 2 龍谷大学 電子情報学科, 3 豊橋技術科学大学 電気電子工学系) |
| Ｐ-38 |
燐ドープ液体Si 材料 田中英樹，古沢昌宏 (セイコーエプソン（株）フロンティアデバイス研究所) |
| Ｐ-39 |
ガラス基板及びプラスチック基板上への分子線蒸着法によるInAsの低温成長 宅島 正尚、久家 侑、大西 和義、梶川 靖友 (島根大学 総合理工学部) |